英伟达H100芯片是硅基芯片，采用台积电4N/5nm工艺制造，核心逻辑芯片面积达814平方毫米，集成800亿个晶体管，属于典型的硅基半导体产品。

1. 材料与工艺
   H100基于硅基半导体技术，使用台积电4N（5nm增强版）工艺，通过鳍式场效晶体管（FinFET）结构实现高性能计算。其核心逻辑芯片面积达814平方毫米，通过2.5D CoWoS封装集成高带宽内存（HBM），进一步优化能效比。

2. 晶体管规模与架构
   芯片集成800亿个晶体管，采用英伟达Hopper架构，专为AI训练和推理优化。相比前代A100，H100在特定场景（如多专家模型训练）性能提升高达9倍，依赖硅基半导体技术的微缩化与架构创新。

3. 市场定位与替代争议
   尽管硅基技术仍是主流，但有观点认为国内28/22nm或16/12nm工艺未来可能替代部分需求。但H100的先进制程和封装技术（如CoWoS）短期内难以被完全复制，硅基仍是其不可替代的基础。

总结：H100是硅基技术的典型代表，其性能飞跃依赖制程微缩与封装创新，短期内硅基半导体仍是AI芯片的核心选择。