​​一纳米芯片的突破性研究由美国麻省理工学院（MIT）华裔科学家朱佳迪团队主导完成，其核心创新在于利用二维材料实现原子级晶体管堆叠，将芯片制程推进至1纳米节点，同时突破传统硅基芯片的物理极限。​​ 这项技术不仅将芯片能耗降低至千分之一，更被业界视为“延续摩尔定律的关键”，为全球半导体产业带来颠覆性变革。

朱佳迪团队采用新型二维材料（如二硫化钼），通过低温外延沉积工艺，在8英寸硅晶圆上直接生长原子级厚度的晶体管层，解决了高温工艺损伤硅基电路的难题。其成果显著提升了电子迁移率（达35.9 cm²/V·s），并实现40纳米接触栅间距（CGP），性能远超传统硅基器件。该技术无需依赖极紫外光刻机（EUV），为芯片制造提供了更经济的替代方案。

中国南京大学王欣然教授团队也在1纳米领域取得重要进展，其研发的二硫化钼晶体管在IEDM大会上发布，驱动电流达0.79 mA/μm，开关比超10⁶，性能指标满足1纳米节点需求。中美两国的竞争表明，二维半导体已成为后摩尔时代的技术焦点，而人才争夺与产业链自主化是核心挑战。

未来，1纳米芯片的量产将依赖材料创新与异质集成技术的成熟。台积电、三星等企业已规划2026-2027年量产时间表，而中国正加速布局二维材料研究，试图通过“换道超车”打破技术封锁。这一赛道不仅是工艺的比拼，更是国家科研生态与人才战略的长期较量。