半导体制造分为前段（FEOL）和后段（BEOL）两大工艺阶段，‌核心区别在于：前段工艺专注于晶体管级制造（如刻蚀/掺杂/栅极形成），后端工艺则完成电路互连（金属布线/绝缘层/封装）‌。前段决定芯片性能，后端影响集成度和可靠性。

1. ‌前段工艺（FEOL）核心环节‌

• ‌晶圆制备‌：对硅晶圆进行清洗、氧化，形成基础衬底。
• ‌晶体管构建‌：通过光刻、离子注入、刻蚀等步骤制作源极/漏极/栅极结构。
• ‌质量控制‌：检测晶圆电学特性，确保晶体管参数达标。

2. ‌后端工艺（BEOL）关键技术‌

• ‌金属互连‌：沉积铜/铝导线，通过多层布线连接晶体管（采用双大马士革工艺）。
• ‌介电层处理‌：填充低k介质材料减少信号干扰，提升传输速度。
• ‌封装测试‌：切割晶圆后封装芯片，进行老化测试和功能验证。

3. ‌工艺差异对比‌

• ‌温度要求‌：前段需高温（1000℃以上），后端控制在400℃以下避免损坏金属层。
• ‌污染控制‌：前段对颗粒污染敏感，后端更关注金属杂质。
• ‌设备类型‌：前段依赖扩散炉/光刻机，后端多用电镀/化学气相沉积设备。

半导体前段与后端工艺协同决定了芯片的良率和成本，7nm以下先进制程中，后端互连的RC延迟已成为性能提升的关键瓶颈。