7nm
英特尔4工艺节点是 7nm制程工艺 ,以下是相关细节的
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命名与定位
- 原计划命名为"Intel 7"的节点,后更名为"Intel 4",属于第14代Meteor Lake处理器系列。
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制程技术
- 首次采用极紫外光(EUV)光刻技术,将鳍片间距缩小至30nm(Intel 7的34nm的0.88倍),接触栅间距降低至50nm。
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性能与密度
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晶体管密度提升至每平方毫米1.6亿颗,是Intel 7(8000万颗)的两倍。
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根据逆向工程数据,其性能接近台积电3nm工艺,但官方未直接与其他工艺节点对比。
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量产计划
- 原计划在2022年下半年量产,但实际进展中存在生产延迟,截至2023年仍在推进中。
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其他特点
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采用12K平方纳米的CCP(互补金属氧化物半导体)晶圆尺寸,较前代缩小0.49倍。
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设计注重能效,良率表现高于预期。
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总结 :Intel 4工艺通过EUV技术实现了晶体管密度的显著提升,性能接近台积电3nm工艺,但尚未实现大规模量产。