英特尔最新处理器采用1.8纳米（18A）工艺，已实现量产并领先行业，性能提升15%且具备背面供电技术，成为当前最先进的半导体制造节点之一。

1. 技术突破：18A工艺采用栅极全能晶体管（GAAFET）设计，显著提升晶体管密度与能效，同时通过背面供电技术优化芯片内部布局，进一步降低功耗。
2. 量产进度：2025年上半年完成设计定案并投入量产，比竞争对手台积电的2纳米工艺提前约一年，巩固了英特尔在尖端制程领域的领先地位。
3. 性能优势：相比前代Intel 3工艺，18A的芯片密度提升30%，每瓦性能提高15%，尤其适合高性能计算与AI负载需求。
4. 应用规划：首批18A芯片将用于下一代笔记本处理器Panther Lake，而部分旗舰产品可能结合台积电2纳米工艺生产，以平衡性能与产能需求。

随着1.4纳米（14A）工艺的研发推进，英特尔将持续推动半导体技术的极限，为未来计算设备提供更强动力。