英特尔最新制程技术已推进至​​1.4纳米（14A）​​，并计划在2027年量产，同时其​​1.8纳米（18A）​​节点将于2025年底率先应用于Panther Lake处理器。​​关键亮点​​包括：全球首个采用High-NA EUV光刻技术的14A节点、18A的PowerVia背面供电与RibbonFET晶体管技术，以及通过先进封装（如Foveros 3D堆叠）实现的系统级性能突破。

1. ​​1.8纳米（18A）技术细节与进展​​
   英特尔18A制程结合了RibbonFET环栅晶体管和PowerVia背面供电技术，较前代性能提升25%，功耗降低36%。Panther Lake处理器将成为首款量产产品，而服务器芯片Clearwater Forest将于2026年跟进。该节点已进入风险试产，并吸引微软、英伟达等客户测试。

2. ​​1.4纳米（14A）的颠覆性创新​​
   14A节点将首次商用High-NA EUV光刻机，分辨率达8nm，晶体管密度再提升20%。其第二代PowerDirect供电技术进一步优化能效，目标在2027年量产，比台积电同类工艺早一年。目前已有客户计划流片测试芯片。

3. ​​先进封装与生态布局​​
   英特尔通过EMIB-T 2.5D和Foveros Direct 3D封装技术，实现芯片异构集成，支持HBM5内存和光学接口。代工服务扩展至AI、车载芯片领域，并与联电合作开发12nm成熟节点，完善技术矩阵。

英特尔正以18A和14A为核心，挑战台积电的制程霸权。若量产顺利，其技术领先性与生态整合能力或重塑半导体行业格局，但良率与成本控制仍是关键考验。