​​PN结的“多子”和“少子”是半导体中载流子分布的两种类型，分别指在P型或N型区域内占主导地位的载流子（多子）和数量极少的载流子（少子）。​​ ​​P型半导体的多子是空穴，少子是电子；N型半导体的多子是电子，少子是空穴​​。这种差异是PN结单向导电性和半导体器件工作原理的核心基础。

1. ​​多子与少子的形成机制​​
   P型半导体通过掺入硼等三价元素，产生大量可移动的空穴（多子），而电子因热激发产生的数量极少（少子）。N型半导体则掺入磷等五价元素，释放多余的自由电子（多子），空穴浓度极低（少子）。例如，硅晶体中N型区的电子浓度可达$10^{18}{\text{cm}}^{-3}$，而空穴仅约$10^6{\text{cm}}^{-3}$，相差12个数量级。

2. ​​PN结的动态平衡​​
   当P型和N型半导体结合时，多子因浓度差向对方扩散，形成空间电荷区。P区留下带负电的离子，N区留下带正电的离子，产生内建电场。此时，少子的漂移运动与多子的扩散运动达到平衡，最终形成稳定的PN结。内建电场的方向由N区指向P区，阻止多子继续扩散。

3. ​​多子与少子的实际应用​​
   正向偏压下，外电场削弱内建电场，多子（P区空穴和N区电子）大量注入对方区域形成电流；反向偏压下，仅有少子（P区电子和N区空穴）的微小漂移电流。这种特性被广泛应用于二极管整流、太阳能电池的光生伏特效应等场景。

理解多子与少子的分布及运动规律，是分析半导体器件性能的关键。无论是设计高效的光伏电池还是优化集成电路，都需精准调控载流子的行为以实现理想功能。