p型和n型半导体的核心区别在于掺杂元素和多数载流子类型：p型半导体通过掺入三价元素（如硼）形成空穴主导导电，而n型半导体掺入五价元素（如磷）以自由电子为主要载流子。

1. 掺杂元素不同
   p型半导体通常掺入三价元素（如硼、铝），这类元素外层仅有3个电子，与硅/锗原子结合时会形成“空穴”；n型半导体则掺入五价元素（如磷、砷），多余的一个电子成为自由电子，增强导电性。

2. 多数载流子差异
   p型半导体的导电主要依赖空穴（带正电），而n型半导体依赖自由电子（带负电）。这一特性直接影响半导体器件的电流方向设计，如二极管中p-n结的单向导通性。

3. 电学性能表现
   p型半导体中空穴迁移率较低，导致电阻略高；n型半导体的电子迁移更快，适合高频应用。实际器件中常组合使用，如太阳能电池通过p-n结分离光生载流子。

理解p型和n型半导体的区别是掌握现代电子器件的基础，从晶体管到集成电路都依赖两者的协同作用。