​​半导体的主要成分包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体，以及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等化合物半导体。​​这些材料的导电性介于导体与绝缘体之间，​​通过掺杂可精确控制其电学性能​​，广泛应用于集成电路、光电器件等领域。​​硅因其稳定性与资源丰富性成为主流材料​​，而氮化镓(GaN)等宽禁带材料在高功率、高频应用中表现突出。

1. ​​元素半导体​​：以硅和锗为代表，硅因耐高温、抗辐射特性主导现代电子工业，锗则早期用于晶体管。其他如硒(Se)曾用于整流器，但实用价值受限。
2. ​​化合物半导体​​：
   • ​​Ⅲ-Ⅴ族​​（如GaAs、InP）：电子迁移率高，适用于高频通信和激光器件。
   • ​​Ⅱ-Ⅵ族​​（如ZnSe、CdTe）：光电性能优异，用于太阳能电池和探测器。
   • ​​碳化硅与氮化镓​​：耐高温、高电压，是电动汽车和5G基站的核心材料。
3. ​​掺杂技术​​：通过掺入磷（N型）或硼（P型）改变导电类型，实现二极管、晶体管等器件功能。

随着技术发展，半导体材料不断突破性能极限，推动人工智能、量子计算等前沿领域进步。选择材料时需综合考虑成本、性能与应用场景。