掺杂性、热敏性、光敏性

半导体作为现代电子技术的核心材料，其核心特性主要体现在以下三个方面：

一、掺杂性

1. 定义与原理

   掺杂性是指在纯净半导体中引入微量杂质元素（如磷、硼等），通过改变载流子浓度来调控导电性能。N型半导体掺入五价元素（如磷）后，多子（自由电子）浓度显著增加；P型半导体掺入三价元素（如硼）后，空穴浓度成为多数载流子。

2. 应用领域

   掺杂性是半导体器件（如二极管、晶体管、集成电路）的核心原理，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。

二、热敏性

1. 定义与表现

   半导体的电阻率随温度变化显著，通常具有负温度系数。例如，纯锗的电阻率随温度每升高10℃可降低至原来的1/2，这种特性使半导体可制成感温元件（如热敏电阻）。

2. 应用场景

   热敏电阻广泛应用于温度测量、温度补偿、红外传感器等设备中，具有高灵敏度和稳定性。

三、光敏性

1. 定义与表现

   半导体对光照敏感，光照增强时电阻率大幅下降（如硫化镉光敏电阻），反之则接近绝缘体。这一特性被用于光电二极管、太阳能电池及光敏传感器。

2. 应用方向

   光电二极管用于光信号检测，硅光电池用于可再生能源转换，光敏传感器则用于环境光监测等。

补充说明

• 负电阻率温度特性 ：部分半导体（如金属硫化物）在特定温度范围内电阻率随温度升高而降低，但此特性与热敏性不同，需注意区分。

• 其他特性 ：半导体还具备可整流性（如二极管单向导电）、压阻性（压力变化引起电阻变化）等，但掺杂性、热敏性、光敏性是其最基础且应用最广泛的三大特性。

通过综合运用这三大特性，半导体能够实现从基础元件到复杂系统的多样化功能。