在n型半导体中，少数载流子是空穴，它们由本征激发或杂质电离产生，数量远少于电子（多数载流子），但对半导体器件的导电性和光电特性有重要影响。

1. 产生机制
   n型半导体的少数载流子（空穴）主要通过两种方式形成：一是本征激发（价带电子跃迁到导带，留下空穴）；二是掺杂的施主杂质电离后，剩余未补偿的受主能级捕获电子产生空穴。

2. 浓度特点
   少数载流子浓度极低，通常比多数载流子（电子）低几个数量级。其浓度受温度、掺杂浓度和外界光照等因素影响，例如高温或强光照会显著增加空穴数量。

3. 作用与意义
   空穴虽少，却是pn结、晶体管等器件工作的关键：在pn结中，少数载流子的扩散形成内建电场；在光电应用中，空穴与电子的复合释放能量，用于发光或探测信号。

总结：理解n型半导体的少数载流子（空穴）有助于优化器件设计，尤其在新能源和微电子领域。控制其浓度和行为可提升半导体性能，如太阳能电池的转换效率或晶体管的响应速度。