​​P型半导体和N型半导体的少子分别是电子和空穴​​，它们是掺杂半导体中浓度较低但对器件性能至关重要的载流子。​​少子浓度受温度影响显著​​，且直接决定二极管、晶体管等器件的开关特性与光响应能力。

1. ​​N型半导体的少子为空穴​​。当硅中掺入磷等五价元素时，多余电子成为多子，而热激发产生的空穴因浓度远低于电子成为少子。少子空穴的复合速度影响器件响应时间，例如在太阳能电池中，空穴寿命越长，光电转换效率越高。

2. ​​P型半导体的少子为电子​​。掺入硼等三价元素后，空穴为多子，而热激发或光照产生的自由电子成为少子。电子扩散长度（如$L=\sqrt{D\tau }$，其中$D$为扩散系数，$\tau$为寿命）决定PN结的反向漏电流大小。

3. ​​少子的核心作用​​。尽管数量少，少子在双极型器件（如BJT）中主导电流传输；在光电探测器中，光生少子形成信号电流。通过掺杂金、铂或电子辐照可调控少子寿命，从而优化器件性能。

理解少子行为是设计高效半导体器件的基础，尤其在高温或高频应用中需重点考虑其温度敏感性。