杂质半导体不带电的根本原因在于其内部电荷始终保持动态平衡，无论是N型（掺入五价元素释放自由电子）还是P型（掺入三价元素产生空穴），杂质电离形成的载流子与固定离子电荷数量相等，整体呈现电中性。

1. 电荷平衡原理
   掺杂过程中，施主杂质（如磷）电离后提供自由电子的自身成为不可移动的正电中心；受主杂质（如硼）接受价带电子后形成空穴，自身变为固定负电离子。两种情况下，可移动载流子与固定离子的正负电荷一一对应，宏观上抵消。

2. 多子与少子的动态关系
   虽然N型半导体中电子为多子、P型中空穴为多子，但少子（如N型中的空穴）仍由本征激发产生，数量极少。温度升高时，本征激发的载流子增多，但杂质电离的载流子占主导，平衡状态未被破坏。

3. 导电性与电中性的区别
   杂质半导体的导电性源于外加电场下多子的定向移动，但电荷流动仅发生在局部，整体材料仍保持中性。例如，N型半导体中电子移动后，固定正电中心维持了电中性。

总结：杂质半导体的电中性是掺杂设计的必然结果，其导电能力取决于载流子浓度而非净电荷，这一特性正是电子器件工作的基础。