PN结通常不掺杂六价元素，主要是因为六价元素掺杂后引入的深能级对PN结的电学性能不利。具体原因如下：

1. 深能级特性：六价元素掺杂会在半导体中形成深能级，这些能级位于禁带中，但距离导带较远。这意味着深能级上的电子难以被激发到导带中，从而难以提供足够的自由电子来增强半导体的导电性。

2. 电离能高：六价元素相比五价元素，其电离能更高。这意味着六价元素在掺杂后，其提供的电子更难脱离杂质原子，进入导带，导致导电性提升有限。

3. 稳定性差：六价元素掺杂还可能引入额外的缺陷，如深能级陷阱，这些陷阱会捕获载流子（电子或空穴），进一步降低PN结的导电性能和稳定性。

4. 材料选择限制：六价元素掺杂的适用性也受限于半导体材料本身。例如，氮化镓等特定材料可能需要六价元素掺杂，但这种情况较为特殊，并不适用于所有半导体材料。

PN结通常选择五价元素（如磷、砷）进行掺杂，这些元素能形成浅能级，有助于在禁带中引入更多自由电子，从而显著提升半导体的导电性能。

PN结不掺杂六价元素的原因在于其深能级特性、高电离能和可能引入的缺陷，这些因素都会削弱PN结的电学性能。