半导体能带的基本特征可归纳为以下四点：

1. 禁带宽度较窄

   半导体的禁带宽度通常在0.1~4电子伏（eV）之间，显著小于绝缘体的4~7 eV。这一特性使得价带顶的电子在较低能量激发下即可跃迁到导带底，形成自由电子和空穴，从而实现导电。

2. 价带与导带部分重叠

   半导体的价带并非完全填满，而是存在未满带与导带底部分重叠的区域。这种结构允许价带中的电子通过热激发或光照射跃迁到导带，形成导电通道。

3. 存在价带电子与空穴

   在价带中，未完全填充的能级可容纳电子；在导带中，空穴（价带电子被激发后留下的空位）与自由电子共同参与导电。这种电子-空穴对的存在是半导体导电性的核心机制。

4. 导电性与温度敏感

   半导体的电导率随温度升高而显著增加。这是因为热运动为价带电子提供更多能量，使其跃迁到导带，从而增强导电性。这一特性与绝缘体形成鲜明对比。

总结 ：半导体通过禁带宽度窄、价带与导带部分重叠及电子-空穴对共存等特征，实现了介于导体与绝缘体之间的独特导电性能，并对温度敏感。