​​半导体常用的掺杂方法主要包括热扩散和离子注入两种核心技术​​，它们通过精准引入杂质原子改变材料的电学特性，是芯片制造中不可或缺的工艺。​​热扩散通过高温驱动杂质渗透，适合大面积均匀掺杂；离子注入则利用高能离子束实现纳米级精度，但需退火修复晶格损伤​​。新兴的等离子体辅助掺杂技术进一步提升了工艺的精细度。

1. ​​热扩散技术​​
   在1000°C左右的高温环境下，杂质原子（如硼、磷）通过气相或固相扩散进入硅晶格。这种方法成本低、均匀性好，常用于太阳能电池和功率器件的大面积掺杂。但高温可能导致杂质过度扩散，限制微缩器件的应用。

2. ​​离子注入技术​​
   将杂质离子（如砷、硼）加速至数万电子伏特能量后轰击硅片，可精确控制掺杂深度和浓度，适用于现代纳米级晶体管。缺点是高能离子会破坏晶格结构，需通过退火（600-1000°C）激活杂质并修复缺陷。

3. ​​先进掺杂工艺​​
   等离子体辅助掺杂结合了化学气相沉积与离子注入的优点，能在低温下实现高精度掺杂，尤其适用于三维器件和柔性电子。激光退火技术可局部修复晶格，减少热预算。

随着半导体器件尺寸不断缩小，掺杂技术正向低温化、选择性和原子级精度发展。未来，定向自组装掺杂和原子层掺杂可能成为突破摩尔定律的关键。