‌N型掺杂半导体的能带图中，费米能级靠近导带底，多数载流子为电子，形成额外的施主能级（位于禁带靠近导带的位置）。‌ 这种掺杂通过引入五价杂质（如磷、砷）实现，显著提升半导体的导电性。

1. ‌能带结构变化‌
   N型掺杂后，杂质原子提供的多余电子占据施主能级（距离导带底约0.01-0.05 eV），常温下电子易跃迁至导带，导带电子浓度远高于价带空穴浓度。未掺杂半导体的本征费米能级位于禁带中央，而N型掺杂使其明显上移。

2. ‌施主能级的作用‌
   施主能级作为“电子仓库”，在低能量条件下即可向导带释放电子。例如，硅中掺磷时，磷的5个价电子中4个参与共价键，剩余1个电子受弱束缚，形成浅能级，极小温差即可激发导电。

3. ‌载流子分布特征‌
   导带电子成为多数载流子，浓度随掺杂量指数增长；价带空穴为少数载流子，浓度受本征激发限制。室温下，电子浓度可达10¹⁵~10¹⁹ cm⁻³，远高于本征半导体（约10¹⁰ cm⁻³）。

4. ‌温度的影响‌
   低温时施主能级部分电离，中温区实现完全电离（导带电子浓度≈施主浓度），高温时本征激发主导，费米能级逐渐回归禁带中央，N型特性减弱。

N型半导体的能带图直观反映了“电子主导”的导电机制，是设计二极管、晶体管等器件的理论基础。实际应用中需注意掺杂浓度与温度对能带结构的动态影响。