​​掺杂p型半导体是通过掺入三价元素（如硼）形成的空穴导电型材料，其多数载流子为空穴（带正电），少数载流子为电子​​。

1. ​​掺杂原理​​：在纯净硅中掺入三价元素（如硼），硼原子外层仅有3个电子，与硅原子结合时形成“空穴”。这些空穴吸引邻近电子填补，表现为正电荷移动，形成P型导电特性。
2. ​​载流子特性​​：P型半导体中空穴浓度远高于电子，导电主要由空穴主导。电子由热激发产生，数量极少，称为少数载流子。
3. ​​电中性本质​​：尽管空穴带正电，但杂质原子（如硼）接受电子后成为负离子，整体材料仍保持电中性。
4. ​​应用对比​​：与N型半导体（掺五价元素，电子导电）不同，P型半导体在PN结、太阳能电池等领域需与N型搭配使用，利用空穴-电子复合机制实现单向导电或光电转换。

理解P型半导体的掺杂机制和载流子行为，是设计二极管、晶体管等电子器件的关键基础。实际应用中需根据导电需求选择掺杂类型与浓度。