N型半导体和P型半导体的核心区别在于掺杂杂质类型及载流子浓度，具体如下：

1. 掺杂杂质类型

   • N型半导体 ：掺入五价元素（如磷、砷），取代硅晶格中的四价硅原子，形成多余电子。

   • P型半导体 ：掺入三价元素（如硼、铟），取代硅晶格中的四价硅原子，形成空穴。

2. 载流子浓度与导电性

   • N型半导体 ：自由电子浓度远大于空穴，主要靠自由电子导电，导电性能随杂质浓度增加而增强。

   • P型半导体 ：空穴浓度远大于自由电子，主要靠空穴导电，导电性能随杂质浓度增加而增强。

3. 应用场景

   • N型半导体 ：适用于高电流负载器件，如整流器、太阳能电池。

   • P型半导体 ：适用于低电流负载器件，如发光二极管（LED）、光电传感器。

4. 电荷特性

   • N型半导体 ：多子为电子（负电荷），少子为空穴。

   • P型半导体 ：多子为空穴（正电荷），少子为电子。

总结 ：两者通过不同价数杂质的掺杂实现载流子浓度差异，从而决定导电性质和应用方向。