N型半导体和P型半导体是两种通过杂质掺杂形成的半导体类型，其核心区别在于载流子类型和导电机制。以下是关键信息整合：

一、基本定义与结构

1. N型半导体

   • 通过向纯净硅晶体中掺入 五价元素 （如磷、锑），形成施主杂质。

   • 掺杂后，硅原子失去一个电子成为带正电的离子，而多余的电子成为自由电子（多子），主导导电。

2. P型半导体

   • 通过向硅晶体中掺入 三价元素 （如硼、铟），形成受主杂质。

   • 掺杂后，硅原子获得一个空穴（多子），空穴通过移动导电，而电子成为少数载流子。

二、载流子与导电性

• N型 ：自由电子浓度远高于空穴，导电主要由电子完成，导电性能随杂质浓度增加而增强。

• P型 ：空穴浓度远高于自由电子，导电主要由空穴完成，同样随杂质浓度增加而增强。

三、应用与特性

• N型半导体 ：常见于二极管、晶体管等电子元件，作为电流的主要传导路径。

• P型半导体 ：常与N型结合形成PN结，实现单向导电特性。### 四、电中性原理

尽管N型和P型半导体分别多出电子和空穴，但整体电荷保持平衡，因空穴带正电，电子带负电，数量相等，故材料呈电中性。