​​判断N型与P型半导体的核心方法包括霍尔效应测试、掺杂元素分析和导电特性对比​​。N型半导体以电子为主要载流子，掺杂五价元素（如磷）；P型半导体以空穴为主，掺杂三价元素（如硼）。通过霍尔电压极性、载流子迁移方向或冷热探针法可快速区分两者。

1. ​​霍尔效应法​​
   施加垂直于电流方向的磁场时，N型半导体的霍尔电压为负（电子偏转），P型为正（空穴偏转）。左手定则可辅助判断：拇指指向负电荷侧为P型，反之为N型。

2. ​​掺杂元素分析​​
   N型半导体含五价杂质（如砷、磷），提供多余电子；P型含三价杂质（如硼、铝），形成空穴。通过质谱仪或化学检测可确定掺杂类型。

3. ​​导电特性测试​​
   N型导电依赖自由电子，迁移率高；P型依赖空穴，迁移率低。冷热探针法中，热端电势高为N型，低为P型。整流法通过肖特基势垒的极性也可区分。

4. ​​载流子浓度对比​​
   N型的电子浓度远高于空穴，P型反之。通过少子注入实验或PN结导通测试（如与已知类型半导体接触）可验证多数载流子类型。

​​总结​​：实际应用中常结合多种方法提高准确性。例如，霍尔效应适用于实验室，而掺杂分析常用于生产质检。理解两者差异对设计二极管、晶体管等器件至关重要。