杭州富芯半导体最新消息：申请多项专利，提升技术实力和产品良率

杭州富芯半导体有限公司近期在技术研发方面取得了显著进展，申请了多项专利，这些专利涵盖了刻蚀方法、半导体器件制备、离子束检测和薄膜特性监控等领域，显示出公司在提升技术实力和产品良率方面的努力。

刻蚀方法及半导体器件专利

杭州富芯半导体申请了一项名为“一种刻蚀方法及半导体器件”的专利，该方法采用具有含氟气体的刻蚀气体，能够降低硬掩膜层的非期望损耗，从而降低以硬掩膜层材料作为反应物之一的聚合物副产物的生成量，便于多聚物副产物在去除图案化光刻胶层的过程中被同步去除。

半导体结构及其制备方法专利

公司还申请了一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，该方法通过简化工艺步骤，降低了成本。该方法在制备薄膜电阻器的过程仅需一次干法刻蚀，且无需在薄膜电阻器的表面制备接触孔刻蚀停止层。

半导体器件的制备方法及半导体器件专利

杭州富芯半导体还申请了一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，该方法通过采用与多层结构对应的多组刻蚀气体，刻蚀钝化层，形成暴露部分金属层的开口区域，并执行清洗工序，以至少清洗开口区域的副产物，从而解决了钝化层刻蚀过程中形成的聚合物缺陷，提高了半导体器件产品的良率。

离子束检测装置及方法专利

公司还申请了一项名为“离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备”的专利，该装置能够准确测量离子束的真实注入能量，对于离子注入工艺的优化和半导体器件的性能提升具有重要意义。

薄膜特性监控方法及系统专利

杭州富芯半导体还申请了一项名为“薄膜特性的监控方法及监控系统”的专利，该方法能够实现无滞后性的薄膜特性监控，从而有利于提高晶圆产品良率，有效避免成本损失。

这些专利的申请和公开，不仅展示了杭州富芯半导体在技术研发方面的实力和创新能力，也为公司未来的发展奠定了坚实的基础。随着这些专利的实施和应用，预计公司的产品良率和市场竞争力将得到进一步提升。