2024年国产光刻机取得重大突破，成功研制出KrF（248nm光源）和ArFi（193nm光源）两款新型光刻机，其中ArFi光刻机实现≤65nm分辨率和≤8nm套刻精度，并通过多重曝光技术理论上支持14nm/7nm芯片制造。90nm光刻机关键部件实现100%国产化，28nm光刻机国产化率达90%，全年出口量首次突破50台，标志着中国半导体产业链自主可控迈出关键一步。

1. 技术突破
   两款核心设备性能对标国际主流：KrF光刻机（248nm光源）分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm；ArFi光刻机（193nm光源）分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。后者通过多重曝光可支持更先进制程，为14nm/7nm芯片研发奠定基础。

2. 国产化与量产进展
   上海微电子（SMEE）90nm光刻机关键部件（光源、光学系统等）实现完全自主，售价较进口设备低40%，2025年计划量产100台。28nm光刻机国产化率提升至90%，已进入量产阶段，获长江存储等企业超50台订单。

3. 产业链与国际影响
   光刻机零部件自主化率超70%，带动半导体设备生态完善。2024年出口量同比增长120%，打破西方技术垄断，为成熟制程芯片自主可控提供保障，逐步挑战ASML市场地位。

国产光刻机的跨越式发展，不仅填补了国内高端制造空白，更推动全球半导体格局重塑，未来有望在先进制程领域实现更大突破。