中国电子科技集团（中电科）目前能够量产的芯片制程工艺为‌28纳米‌，并已掌握‌14纳米‌工艺关键技术。中电科在半导体领域的突破主要体现在‌自主可控技术体系‌、‌特种芯片研发优势‌以及‌第三代半导体布局‌三个方面。

1. ‌28纳米成熟工艺稳定量产‌
   中电科旗下重庆声光电等子公司已建成28纳米生产线，主要面向物联网、汽车电子等应用场景。该工艺在良品率和功耗控制上达到国际主流水平，支撑了国产工业芯片的规模化应用。

2. ‌14纳米技术完成验证‌
   通过旗下研究所联合攻关，中电科已完成14纳米FinFET工艺的流片验证，具备小批量试产能力。这一节点可满足5G基站、人工智能等领域的芯片需求，预计未来两年实现量产。

3. ‌特色工艺构筑差异化优势‌
   在微波射频、MEMS传感器等特种芯片领域，中电科依托‌化合物半导体技术‌实现弯道超车。其氮化镓（GaN）功率器件已应用于相控阵雷达，性能对标国际领先产品。

4. ‌第三代半导体前瞻布局‌
   围绕碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料，中电科建成从衬底、外延到器件设计的全产业链能力。苏州研究院推出的1200V碳化硅模块已通过新能源车企测试，打破国外垄断。

中电科采取"成熟工艺+特色赛道"的双轨策略，短期内28/14纳米工艺将覆盖80%国产化需求，长期通过第三代半导体抢占高端市场。需注意的是，其技术路线更侧重特定领域而非消费级芯片的制程竞赛。