天岳先进、英飞凌、罗姆

以下是全球在碳化硅（SiC）衬底和外延领域具有代表性的公司分类整理，综合了技术实力、市场地位及最新发展动态：

一、全球领先衬**造商

1. 山东天岳先进科技股份有限公司

   • 专注第三代半导体碳化硅衬底，2022年成功登陆A股科创板，掌握12英寸碳化硅衬底生产技术，2025年计划在香港主板上市。

   • 产品涵盖6英寸、8英寸导电型及半绝缘型衬底，年产能37.1万片。

2. 北京天科合达半导体股份有限公司

   • 国内首家专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发企业，产品覆盖2英寸至8英寸衬底，年产能150毫米碳化硅衬底150万片。

   • 拥有完整的碳化硅外延产业链，与英飞凌等国际巨头建立合作。

3. Wolfspeed

   • 全球领先的碳化硅衬**造商，2015年推出首款8英寸衬底，2022年启用全球首家8英寸晶圆厂，2023年计划再建新工厂。

4. Coherent（前称II-VI）

   • 2015年展示半绝缘型8英寸衬底，2022年宣布美国伊斯顿工厂建设，专注6英寸及以下尺寸衬底。

5. Rohm（罗姆半导体）

   • 通过收购SiCrystal等企业，成为全球主要SiC衬底供应商，2015年展示8英寸衬底，2023年计划量产8英寸产品。

二、外延与器件制造商

1. 英飞凌

   • 2020年宣布8英寸晶圆生产线建成，2023年量产8英寸衬底，2025年实现碳化硅器件量产。

2. 安森美

   • 2021年以4.15亿美元收购GT Advanced Technologies（GTAT），加强碳化硅衬底和晶圆制造能力。

3. 罗姆半导体

   • 2023年量产8英寸衬底，与英飞凌等客户合作开发碳化硅器件。

4. 意法半导体

   • 通过收购STMicroelectronics的碳化硅业务，拓展SiC外延技术。

三、其他关键参与者

• 德国半导体制造商 ：如SiCrystal（被罗姆收购后成为其子公司），长期专注于SiC衬底技术。

• 日本EDP ：在金刚石衬底领域有突破，但尺寸仍需提升以支持大规模器件。

四、市场现状与趋势

• 产业链周期长 ：SiC衬底需经历外延、制造、封装等多道工艺，验证复杂且周期较长。

• 技术竞争激烈 ：国际巨头与新兴企业竞争加剧，尤其在8英寸及以上大尺寸衬底领域。

• 应用领域 ：碳化硅衬底主要应用于电力电子、微波电子等领域，随着技术成熟，将扩展至汽车电子、新能源等新兴市场。

以上公司可根据具体需求（如衬底材料、外延技术或器件制造）进行深入合作与技术交流。