半导体衬底和外延片是芯片制造的“地基”与“精装层”，衬底提供基础支撑，外延层则通过同质/异质生长提升材料性能，直接决定器件电学特性。

1. 衬底的核心作用
   衬底是由单晶材料（如硅、碳化硅）制成的晶圆片，如同建筑的地基，承载整个芯片结构。它可直接用于器件制造，但更多作为外延生长的基底，其晶向和纯度直接影响外延层质量。

2. 外延层的功能突破
   外延工艺在衬底上生长几微米厚的新单晶层，分为同质外延（材料相同）和异质外延（材料不同）。例如，硅衬底上生长高电阻率硅外延层，可兼顾高击穿电压与低导通电阻，解决器件性能矛盾。

3. 外延片的实际应用
   外延片（衬底+外延层）是器件制造的关键材料。外延层表面更平整、缺陷更少，显著提升芯片良率。第三代半导体（如氮化镓）常采用异质外延，在硅衬底上生长高性能化合物层，降低成本并扩展应用场景。

衬底与外延片的协同优化，是半导体技术持续突破的底层驱动力，未来将更聚焦于材料创新与工艺精进。