‌晶圆衬底是半导体制造的基础材料，通常由高纯度硅制成，用于承载和生长各种半导体器件层‌。作为芯片生产的"地基"，它的质量直接影响最终器件的性能和可靠性。

1. ‌核心作用‌
   晶圆衬底的主要功能是为后续的光刻、蚀刻等工艺提供平整的基底。通过抛光、清洗等处理，确保表面纳米级光洁度，避免杂质干扰晶体管结构的加工。

2. ‌材料类型‌
   硅(Si)是最常见的衬底材料，但化合物半导体如砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)也用于高频、高功率器件。硅片直径从早期的4英寸发展到现在的12英寸（300mm），提升单晶圆芯片产出量。

3. ‌制备工艺‌
   通过直拉法(CZ)或区熔法(FZ)生长硅单晶柱，切割成薄片后经研磨、化学机械抛光(CMP)形成镜面。掺杂工艺可调节衬底的电导特性，例如P型或N型硅。

4. ‌技术趋势‌
   随着3D芯片堆叠技术兴起，硅通孔(TSV)衬底实现多层互联；SOI（绝缘体上硅）衬底则通过埋氧层降低功耗，提升射频器件性能。

选择衬底需平衡成本、性能与工艺兼容性，其创新持续推动半导体行业突破物理极限。