第三代半导体股票一览表

第三代半导体股票主要涵盖碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等核心材料的研发、制造及下游应用领域企业,重点关注技术突破、产业链布局完整、市场渗透率快速提升的龙头企业。以下是第三代半导体领域代表性上市公司及其核心亮点:

  1. 三安光电
    国内化合物半导体全产业链龙头,已建成碳化硅衬底、外延、芯片及封装产线,车规级碳化硅MOSFET通过国际大厂认证,2024年实现批量供货新能源车企。其射频器件在5G基站领域市占率超30%。

  2. 天岳先进
    专注碳化硅衬底材料,6英寸导电型衬底全球市场份额达15%,与英飞凌、博世等国际巨头达成战略合作。2025年预计8英寸衬底产线投产,技术路线覆盖导电型和半绝缘型全品类。

  3. 士兰微
    第三代半导体IDM模式代表企业,硅基氮化镓快充芯片出货量居全球前三,2024年推出兼容USB4协议的240W超快充解决方案;碳化硅功率模块已导入光伏逆变器头部厂商供应链。

  4. 斯达半导
    车规级碳化硅模块核心供应商,主驱逆变器模块装机量国内第一,2025年规划产能提升至50万套/年。其自主研发的SiC MOSFET芯片良率达国际一线水平,与比亚迪、蔚来等新能源车企建立深度合作。

  5. 华润微
    布局第三代半导体特色工艺平台,建成国内首条6英寸GaN-on-Si晶圆量产线,聚焦数据中心电源、激光雷达等高端应用场景。2024年发布1200V碳化硅SBD产品,性能参数媲美国际竞品。

投资第三代半导体领域需重点关注两大趋势:技术迭代加速推动成本下降(如8英寸衬底量产)、新能源汽车/可再生能源催生百亿级增量市场。建议持续跟踪企业研发投入强度、产能落地进度及下游客户验证进展,警惕技术路线更迭和行业竞争加剧风险。

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第三代半导体前景

第三代半导体前景广阔,凭借材料特性优势在多个领域实现快速突破,成为产业发展的核心趋势。以下是关键分析: 一、核心优势与技术突破 材料特性 宽禁带(3.26 eV)带来高击穿电场(3.0 MV/cm)、高热导率及高电子迁移率,适用于高压、高频、高功率场景。 国产化进展显著:2024年SiC衬底量产,8英寸衬底国产化率达35%;5nm刻蚀机、薄膜沉积设备实现国产替代。 应用领域 新能源汽车

2025-05-11 人工智能

第三代半导体龙头公司排名

​​第三代半导体行业正迎来爆发式增长,龙头企业凭借技术积累和市场布局占据核心地位。​ ​ 其中,​​三安光电、中芯国际、士兰微​ ​等企业在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)领域表现突出,覆盖材料研发、芯片制造到应用全产业链。 ​​技术领先性​ ​:三安光电在SiC和GaN材料研发上处于国内领先地位,已实现1200V SiC MOSFET样品测试

2025-05-11 人工智能

第三代半导体与第四代半导体区别

第三代半导体与第四代半导体的核心区别在于材料性能的突破与应用场景的升级:第四代在禁带宽度、击穿电场、热稳定性等关键指标上全面超越第三代,尤其适合极端环境下的超高压、深紫外探测等前沿领域,而第三代则以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为核心,在5G通信、新能源汽车等中高频高功率场景中占据主导。 材料特性差异 第三代半导体以SiC、GaN为代表,禁带宽度(3.2-3.4 eV)显著高于传统硅材料

2025-05-11 人工智能

n型半导体带什么电

n型半导体带负电 ,这是因为在n型半导体中,主要的载流子为自由电子,这些电子在材料中自由移动,使得整体呈现负电性。关键亮点 包括:自由电子作为主要载流子、掺杂工艺的应用、以及其在电子设备中的重要性。以下是对这一现象的详细解释: 1.掺杂工艺的应用:n型半导体是通过在纯半导体材料(如硅或锗)中掺入五价元素(如磷或砷)制成的。这些五价元素具有五个价电子,而半导体材料中的原子通常只有四个价电子

2025-05-11 人工智能

超导体和半导体的区别

‌超导体和半导体的核心区别在于导电能力与温度特性:超导体在临界温度下电阻为零,实现无损电流传输;而半导体的导电性介于导体与绝缘体之间,且可通过掺杂或温度调节控制其导电性能。 ‌ ‌导电机制不同 ‌ 超导体在特定低温条件下(临界温度),电子形成库珀对,电阻完全消失,电流无损耗流动。半导体则依靠电子和空穴的移动导电,其电阻率可通过外部条件(如温度、光照或掺杂)灵活调控。 ‌温度依赖性相反 ‌

2025-05-11 人工智能

p型半导体和n型半导体

p型半导体和n型半导体是两种通过掺杂工艺改变导电特性的半导体材料,核心区别在于多数载流子类型:p型以空穴为主,n型以电子为主。 它们的结合构成现代电子器件的基础,如二极管、晶体管等。 p型半导体 通过在纯净半导体(如硅)中掺入三价元素(如硼),形成“空穴”作为多数载流子。空穴带正电,主导导电过程,而电子为少数载流子。p型材料常作为电路中的“受主”,吸引电子流动。 n型半导体

2025-05-11 人工智能

第一代半导体到第四代半导体

第一代半导体以硅(Si)和锗(Ge)为代表,主要应用于数据运算和存储领域;第二代半导体以砷化镓(GaAs)为主,用于通信领域;第三代半导体以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,具有更宽的禁带宽度,适合高温、高频和大功率应用;第四代半导体以氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga₂O₃)和金刚石为代表,具备超宽禁带特性,适用于5G通讯、人工智能、汽车电子等领域。 第一代半导体:硅和锗 特点

2025-05-11 人工智能

第三代半导体有哪些公司

三安光电、扬杰科技、富满电子等 第三代半导体公司主要涉及碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新型半导体材料的研发与生产,以下为综合多个权威来源的代表性企业列表: 一、龙头企业 三安光电(600703) 全球领先的第三代半导体企业,涵盖LED外延片、功率器件、光通讯元器件等全产业链,2020年营收84.54亿元,同比增长13.32%。 扬杰科技(300623) 专注功率半导体芯片及器件

2025-05-11 人工智能

第一代半导体和二代区别

​​第一代半导体(硅/锗)与第二代半导体(砷化镓/磷化铟)的核心区别在于材料特性与应用场景:前者以低成本和高成熟度支撑集成电路与光伏产业,后者凭借高频、耐高温特性主导光通信与5G射频领域。​ ​ ​​材料与性能差异​ ​ 第一代以硅(Si)和锗(Ge)为主,带隙窄、电子迁移率低,适合逻辑运算和低压场景;第二代以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为核心,直接带隙结构赋予其高频、抗辐射优势

2025-05-11 人工智能

第三代半导体材料以什么为主

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为核心,同时包含氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等宽禁带半导体材料。以下是具体分析: 核心材料 碳化硅(SiC) :主要用于高温、高频、大功率器件,如电力电子、射频器件等,具备高热导率、高击穿场强等优点。 氮化镓(GaN) :在功率器件领域应用广泛,适用于6G通信、激光器等高频场景,因高频通信需大功率而潜力突出。

2025-05-11 人工智能

第三代半导体是做什么的

​​第三代半导体是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带材料,专为高温、高压、高频场景设计,​ ​可大幅提升5G基站、新能源汽车、智能电网等领域的性能与能效。其​​高频、耐高压、耐高温、抗辐射等特性​ ​,突破了传统硅基材料的物理极限,成为新一代通信、能源和交通技术的核心支撑。 ​​核心材料与特性​ ​ 碳化硅和氮化镓的禁带宽度是硅的3倍,击穿电场强度更高,热导率优异。例如

2025-05-11 人工智能

第三代半导体什么意思

第三代半导体是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的宽禁带半导体材料。 相比于第一代和第二代半导体,第三代半导体具有更高的温度、电压和频率耐受能力,适用于高频高温的电子器件。 材料特性 宽禁带 :第三代半导体材料的禁带宽度(Eg)大于或等于2.3eV,因此也被称为宽禁带半导体材料。 高击穿电场 :能够承受更高的电压而不被击穿。 高饱和电子速度 :电子在材料中的运动速度更快。 高热导率

2025-05-11 人工智能

第三代半导体是芯片吗

第三代半导体属于芯片技术的一种,但需注意其定义与分类的复杂性。以下是具体分析: 定义与分类 第三代半导体并非独立的技术代际,而是对宽禁带半导体材料的统称,包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料。这类材料因禁带宽度(Eg>2.3eV)显著高于前两代(硅基和砷化镓),从而具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性。 芯片类型 以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料

2025-05-11 人工智能

直接间接带隙半导体区别

直接带隙半导体与间接带隙半导体的核心区别在于电子跃迁过程中是否需要声子参与,以及由此导致的物理性质差异。以下是具体分析: 一、能带结构差异 直接带隙 :导带底和价带顶在k空间对应同一位置(即准动量守恒),电子跃迁时动量不变,仅吸收能量即可进入导带。 间接带隙 :导带底和价带顶在k空间不同位置,电子跃迁需同时吸收能量并改变动量(通常通过声子辅助),形成非竖直跃迁。 二、载流子复合特性 直接带隙

2025-05-11 人工智能

功率半导体和常规半导体的区别

功率半导体和常规半导体的主要区别在于它们的电压和电流处理能力、散热需求、开关速度及效率 。功率半导体专门设计用于承受高电压和大电流,具备更强的散热能力和更高的开关效率,而常规半导体则通常应用于低电压和低电流环境,如信号处理和数据通信。 电压和电流处理能力 功率半导体器件能够处理从几十伏特到数千伏特的电压以及几安培到几百安培的电流,这使得它们非常适合于电力传输、电动汽车控制等需要高功率的应用场景

2025-05-11 人工智能

导体和半导体的概念

导体和半导体是电子学中两类重要的材料,‌关键区别在于导电能力 ‌:导体(如铜、铝)电阻率极低(10^-8 Ω·m),可高效传输电流;半导体(如硅、锗)电阻率介于导体与绝缘体之间(10^-5~10^7 Ω·m),其导电性可通过掺杂、光照或温度调控。‌半导体独有的"能带结构"使其成为现代电子器件(如芯片、太阳能电池)的核心材料 ‌。 ‌导体的特性 ‌ 自由电子浓度高(约10^28/m³)

2025-05-11 人工智能

半导体和半导体材料的区别

半导体与半导体材料的区别主要体现在定义、特性以及应用领域上。 半导体的定义 半导体是一种导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其导电能力可通过掺杂等方式进行调节。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等,其中硅是应用最广泛的一种。 半导体材料的定义 半导体材料是一类具有半导体性能(如导电能力介于导体与绝缘体之间)的电子材料,电阻率范围通常在1mΩ·cm至1GΩ·cm之间

2025-05-11 人工智能

直管半导体和螺旋半导体的区别

​​直管半导体和螺旋半导体的核心区别在于结构设计和电流传导机制:直管采用线性通道实现高效单向导电,而螺旋结构通过三维缠绕增强电磁场耦合,适用于高频信号处理。​ ​ ​​结构差异​ ​ 直管半导体通常为柱状或片状,内部PN结排列规整,载流子沿直线路径运动,损耗较低。螺旋半导体则通过螺旋形掺杂或纳米级缠绕设计,形成环形电场,可抑制涡流损耗并提升高频响应。 ​​性能对比​ ​

2025-05-11 人工智能

半导体和半导体设备

半导体与半导体设备是紧密关联的两个概念,以下是具体解析: 一、半导体定义 半导体是指常温下电导率介于导体与绝缘体之间的材料,其导电性可通过掺杂或外部条件控制。典型应用包括收音机、电视机、温度测量等。 二、半导体设备分类 半导体设备主要分为 前道工艺设备 (晶圆制造)和 后道工艺设备 (封装测试)两类: 前道工艺设备 核心设备 :光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、清洗设备

2025-05-11 人工智能

半导体材料的四个特征

半导体材料的四个主要特征 是导电性介于导体和绝缘体之间 、对温度敏感 、掺杂可改变其电学性质 以及具有光敏性 。这些特征使半导体材料在现代电子工业中占据核心地位,广泛应用于集成电路、太阳能电池、光电探测器等领域。 1.导电性介于导体和绝缘体之间半导体的导电性是其最显著的特征之一。与导体(如金属)相比,半导体的导电能力较弱,但与绝缘体相比则强得多。这种独特的导电性源于其特殊的能带结构

2025-05-11 人工智能
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