化学机械抛光（CMP）是半导体制造中实现晶圆全局平坦化的核心工艺，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，确保各层结构的高精度对接。以下是关键信息整合：

一、核心原理

1. 化学-机械协同作用

   抛光液中的化学成分与晶圆表面材料发生反应，软化或腐蚀目标材料，再通过抛光垫的机械摩擦去除。这种双重作用可高效去除微米/纳米级不平整，实现原子级平整。

2. 动态控制与高精度

   采用终点检测系统实时监测膜层厚度，精度可达3~10纳米，防止过抛。抛光头支持分区施压，可针对不同区域调整压力，确保均匀性。

二、主要应用场景

1. 前道工艺

   用于薄膜沉积后、光刻前的表面平坦化，确保各层结构良好接触，提升光刻精度和芯片性能。

2. 后段工艺

   涉及封装中的先进封装工序，如金属互连层（CuBs）、接触孔钨（W）等关键结构的平坦化。

三、技术优势

• 全局平坦化 ：唯一能实现整个晶圆均匀平整的工艺，满足微纳尺度制造需求。

• 材料兼容性 ：可处理硅、金属、化合物半导体等多种材料。

• 高效率与成熟度 ：设备产出效率高，技术成熟且被全球晶圆厂广泛采用。

四、行业现状

• 设备与耗材垄断 ：高端CMP机台及抛光液、抛光垫等关键耗材主要由国外供应商垄断。

• 技术迭代 ：持续优化以提高精度和稳定性，适应更小制程（如5nm及以下）的集成电路制造。