半导体‌CMP‌（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）是一种‌关键晶圆表面平整化工艺‌，通过化学腐蚀与机械研磨的结合，实现纳米级表面光滑度，广泛应用于芯片制造中的多层布线、隔离层处理等环节。

1. ‌核心原理‌：

   • ‌化学作用‌：抛光液中的氧化剂（如过氧化氢）与硅片表面反应，生成软化层。
   • ‌机械作用‌：抛光垫与研磨颗粒（如二氧化硅）协同去除软化层，逐步实现全局平坦化。

2. ‌技术优势‌：

   • ‌高精度‌：可处理0.1nm级不平整，满足先进制程（如3nm节点）需求。
   • ‌多层兼容性‌：适配铜、钨、介质材料等不同薄膜的抛光需求。

3. ‌应用场景‌：

   • ‌STI隔离‌：消除浅沟槽隔离结构的台阶高度差。
   • ‌铜互连‌：确保多层金属布线间的平整连接，减少短路风险。

随着芯片集成度提升，‌CMP技术将持续迭代‌，推动半导体器件向更小尺寸、更高性能发展。生产过程中需精准控制参数（压力、转速等），以避免划伤或过度抛光。