CMOS工艺和MEMS工艺的核心区别在于：CMOS是纯电子集成电路制造技术，专注于晶体管和电路的微型化；而MEMS是微机电系统技术，通过半导体工艺制造可动的机械结构，实现物理信号与电信号的转换。两者的结合（CMOS-MEMS）能集成传感、处理和执行功能，但工艺兼容性挑战显著。
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功能定位差异
CMOS工艺用于制造数字或模拟集成电路，核心是互补型MOS晶体管，特点是低功耗、高集成度，适合逻辑运算和信号处理。MEMS工艺则制造微型机械结构（如悬臂梁、振动膜），通过可动部件感知压力、加速度等物理量，或执行机械动作（如微镜阵列）。 -
工艺步骤与材料
CMOS工艺标准化程度高，主要步骤包括氧化、光刻、掺杂、金属互联等，材料以硅、多晶硅和金属为主。MEMS工艺需额外引入深硅刻蚀、牺牲层释放、键合等步骤，并可能使用压电材料（如氮化铝）、磁性材料等非传统半导体材料。 -
结构特性
CMOS器件为静态电子结构（如晶体管、电容），无机械运动部件。MEMS器件则依赖动态机械结构，例如加速度计的惯性质量块、陀螺仪的谐振器，其性能受机械形变、空气阻尼等物理效应影响。 -
集成挑战
传统CMOS与MEMS需分开制造后封装集成（如SiP），但单片集成能提升性能。难点在于MEMS的高温工艺可能破坏CMOS电路，需采用低温沉积或后CMOS加工技术。台积电等厂商已实现90nm级CMOS-MEMS单片集成，但工艺复杂度高。 -
应用场景
CMOS主导处理器、存储器等纯电子领域；MEMS专精于传感器（如麦克风、气压计）和执行器（如投影仪微镜）。智能传感器等新兴领域需两者协同，例如惯性测量单元（IMU）结合MEMS传感和CMOS信号调理。
未来，随着工艺进步，CMOS-MEMS集成将更紧密，但材料兼容性、热预算管理仍是关键突破方向。选择工艺时需权衡性能需求与成本，例如高精度传感器倾向分立式设计，消费电子则追求单片集成。