​​半导体MEMS工艺是一种将微电子技术与微机械加工技术结合的尖端制造技术，能够批量生产微型传感器、执行器等器件，具有​​高精度、低成本、集成化​​等核心优势。其核心工艺包括光刻、薄膜沉积、刻蚀等步骤，广泛应用于消费电子、医疗、汽车等领域。​​

半导体MEMS工艺的核心在于通过微米级加工实现复杂三维结构。例如，利用​​表面牺牲层技术​​，先在硅基上沉积牺牲层材料（如氧化硅），再覆盖结构层（如多晶硅），最后腐蚀牺牲层形成悬空结构。这种工艺与集成电路技术高度兼容，可在单晶硅片上批量制造数百个器件，显著降低生产成本。美国ADI公司率先实现MEMS与电路的集成，推出高性能惯性传感器。

材料选择直接影响器件性能。硅因其优异的机械特性和半导体性质成为主流材料，而氮化铝（AlN）、锆钛酸铅（PZT）等压电材料则用于高端器件。​​低应力薄膜技术​​是关键挑战，需通过化学气相沉积（CVD）精确控制薄膜应力，避免结构变形。例如，采用低压CVD（LPCVD）制备的多晶硅薄膜，在牺牲层腐蚀后仍能保持结构完整性。

封装技术占MEMS成本的40%以上。传统IC封装会引入应力干扰可动部件，因此需采用​​晶圆级封装（WLP）​​或三维硅通孔（TSV）技术。例如，长电科技通过TSV技术实现传感器与处理电路的垂直互联，提升信号传输效率。疏水性涂层（如类金刚石碳膜）可防止微结构因表面张力黏连，提高器件可靠性。

未来趋势聚焦​​多层多晶硅集成​​与智能化生产。Sandia国家实验室的CMOS MEMS工艺将电路与微机械结构分层制造，兼顾性能与成本。国内企业如罕王科技正布局8英寸产线，结合AI缺陷检测技术提升良率。但高端工艺仍依赖进口设备，如深槽刻蚀机等。

掌握半导体MEMS工艺需突破设计仿真、特殊材料、精密封装等瓶颈，但其在智能穿戴、自动驾驶等领域的应用潜力巨大，是推动微系统创新的核心驱动力。