​​半导体制造中最具发展潜力的工序是光刻技术，尤其是极紫外（EUV）光刻，其突破性进展直接推动了芯片制程的微缩化，成为5nm以下先进制程的核心驱动力。​​三维封装技术和纳米级工艺的创新也显著提升了芯片性能与集成度，成为行业竞争的新焦点。

光刻技术通过极紫外光源实现纳米级图案转移，是摩尔定律延续的关键。EUV光刻能制造仅几纳米的电路结构，解决了传统光刻的物理极限问题，例如台积电和三星的3nm工艺均依赖该技术。多重图案化等辅助技术进一步提升了精度，但设备成本和高能耗仍是待解挑战。

三维封装通过堆叠芯片层实现高密度互连，大幅缩短信号传输距离并降低功耗。扇出型封装和系统级封装（SiP）技术已广泛应用于高性能计算和移动设备，例如苹果M系列芯片的异构集成。未来，该技术将与Chiplet（小芯片）架构深度结合，推动定制化芯片设计。

纳米级工艺利用原子层沉积（ALD）等精密技术，在材料层面优化晶体管性能。FinFET和GAA晶体管结构的演进依赖于纳米级掺杂与薄膜沉积，使芯片在相同面积下容纳更多晶体管。量子隧穿效应和散热问题对工艺控制提出了更高要求。

半导体工序的进步始终围绕“更小、更快、更省电”的目标。企业需平衡研发投入与市场需求，而新兴的AI芯片和物联网设备将持续倒逼工艺革新。未来，光刻与封装技术的协同创新或将成为行业突破的核心路径。