中国目前‌具备5纳米芯片的研发能力‌，但‌大规模量产仍面临挑战‌。关键技术突破包括‌光刻机自主研发‌和‌先进制程工艺积累‌，但受限于‌设备供应链‌和‌国际技术壁垒‌，完整产业链尚未成熟。

1. ‌研发进展‌
   中芯国际等企业已实现7纳米芯片试产，5纳米技术处于实验室阶段。通过‌多重曝光技术‌和‌FinFET晶体管结构优化‌，部分绕过了极紫外（EUV）光刻机限制，但良率和效率待提升。

2. ‌核心设备瓶颈‌
   荷兰ASML的EUV光刻机是5纳米量产的关键，但受《瓦森纳协定》限制进口。国内‌上海微电子‌正在攻关28纳米光刻机，短期内难以支撑5纳米需求。

3. ‌材料与设计能力‌
   华为海思等公司具备5纳米芯片设计水平，但制造依赖台积电等代工厂。‌硅片、光刻胶‌等材料国产化率不足30%，影响自主可控性。

4. ‌政策与生态支持‌
   国家大基金二期重点投资半导体设备与材料，北京、上海等地建设晶圆厂。通过‌chiplet（小芯片）技术‌整合成熟制程，部分替代先进制程需求。

未来3-5年，中国或通过‌异构集成‌和‌新材料研发‌实现弯道超车，但完全自主的5纳米量产需突破设备、工艺、人才的全链条协同。现阶段更现实的方向是提升28纳米及以下成熟制程的全球占比。