28nm

截至2025年4月，中国在芯片制程领域取得了显著进展，具体量产能力如下：

一、当前量产能力

1. 28纳米芯片

   • 军用领域 ：中国已实现28纳米军用芯片的量产，采用自对准四重图案化技术，打破了美国制裁对高端芯片技术的限制。

   • 民用领域 ：中芯国际等企业已成功量产28纳米工艺节点的芯片，主要用于智能家电、汽车电子等民生科技领域，良品率提升至94%，成本控制达到全球最低水平。

2. 14纳米及以下

   • 中芯国际 ：已实现14纳米工艺的量产，采用深紫外光刻机技术，良品率逐步提升，可满足80%以上产品需求。

   • 其他进展 ：上海微电子28纳米光刻机即将商用，进一步推动14纳米工艺的商业化应用。

二、技术突破与挑战

• 高端制程 ：5纳米芯片已进入研发阶段，但尚未实现大规模量产，核心设备（如光刻机）仍依赖进口。

• 良品率与成本 ：7-14纳米工艺的良品率需进一步提升，且高成本限制了市场竞争力。

三、未来目标

• 3纳米及以下 ：部分企业正在研发3纳米技术，但尚未实现量产，需突破光刻机等关键设备瓶颈。

• 自主化 ：通过“需求侧改革”和“工艺魔改”（如中芯国际的N+1工艺），中国正努力缩小与国际顶尖水平的差距。

总结

中国芯片制造在28纳米及以下领域取得突破，军用和部分民用领域已实现量产；14纳米技术逐步成熟，但高端5纳米及以下仍需持续攻关。未来需通过技术创新和产业链协同，突破设备限制，提升整体竞争力。