成功

华为在光刻机领域的研发取得了显著进展，具体成果如下：

1. 技术突破与专利

   华为联合国内设备商成功研发出28nm DUV光刻机原型机，关键部件国产化率超90%，并申请了多项光刻机专利，包括与EUV光刻机相关的反射镜、光刻装置及其控制方法专利。

2. 产业链协同

   中国半导体产业链加速突围，中科院、哈工大、华中科大等科研机构与企业协同攻关，例如中科院微电子研究所开发了高精度激光干涉仪，为光刻机精度提升提供支持。

3. 市场应用

   • 28nm光刻机已实现量产，搭载于麒麟9000S芯片；

   • 2025年Q1，与华为合作的刻蚀机订单同比增长300%，显示市场认可度提升。

4. 国际影响

   • 打破美国技术垄断，提升全球半导体产业竞争格局；

   • 促进国内设备商（如晶瑞电材）发展，例如成为唯一量产ArF光刻胶的企业。

总结 ：华为通过自主研发与产业链协同，成功突破光刻机核心技术，标志着中国半导体产业在高端设备领域取得重要突破，未来有望进一步推动国产化进程。