1nm芯片的突破性研究由美国麻省理工学院(MIT)的朱佳迪博士领导完成,但需注意以下关键信息:
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核心贡献者
朱佳迪博士是主要研发者,他带领团队通过原子级晶体管技术,突破常温材料限制,实现了1nm芯片的制程突破。
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研究背景与技术突破
该技术采用2D材料叠加法,将晶体管厚度从传统3nm缩小至1nm,且无需依赖极紫外光刻机(EUV),为芯片制造带来重大革新。
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合作与研究性质
虽然朱佳迪是核心成员,但研究由美国和中国台湾地区科研机构联合开展,属于国际合作项目。
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争议与舆论反应
该成果发布后,部分舆论对其“助美突破”表示关注,但朱佳迪未引发广泛争议,反而获得较多包容性评价。
总结 :1nm芯片技术突破的核心贡献者是朱佳迪博士,但属于中美台合作的成果,且技术尚未完全量产。