国内在存储芯片领域取得重大突破的企业为 长鑫存储 ，其自主研发的存储芯片在技术、市场等方面均展现出显著优势。以下是具体分析：

1. 首款国产DDR5内存芯片

   长鑫存储已成功量产首款采用其新一代G4 DRAM工艺的DDR5内存芯片，单元面积缩小20%，位密度达0.239Gbit/mm²，与三星等国际大厂工艺水平相当。该芯片已应用于光威的DDR5-6000Mhz内存产品中。

2. HBM2e芯片量产与技术突破

   长鑫存储的HBM2e产品采用TSV和微凸块技术，实现高带宽、低功耗特性，满足人工智能等高性能需求。其合作伙伴深圳远见智存科技已计划2025年完成下一代HBM3/HBM3e的前端设计。

3. 市场份额与技术追赶

   中国存储芯片市场增长迅速，长鑫存储等企业技术水平已接近国际前三（三星、美光等）。部分权威机构预测，到2027年，中国存储芯片自给率可能提升至50%以上。

总结 ：长鑫存储是国内唯一实现DDR5内存芯片和HBM2e量产的存储芯片企业，其技术突破和市场份额增长标志着中国存储芯片产业进入新阶段。