国产芯片目前最先进的量产工艺为14纳米（nm），并在等效7纳米的N+2工艺上取得关键技术突破，已进入试产阶段。其中，14nm FinFET工艺良率稳定在95%以上，广泛应用于汽车电子、物联网等领域；而通过DUV多重曝光技术实现的N+2工艺，性能接近国际7nm水平，预计2025年实现有限量产。
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14nm工艺的成熟化应用
中芯国际的14nm FinFET工艺自2021年量产以来，良率持续优化至95%以上，支持车规级认证（Grade 1）及高性能芯片需求。例如，华为麒麟710A芯片采用该工艺，性能提升20%，功耗降低57%。当前，14nm产能占全球成熟制程市场的8%，成为国产中高端芯片的主力。 -
N+2工艺：等效7nm的突破
中芯国际通过DUV多重曝光技术（如SAQP）开发的N+2工艺，晶体管密度较14nm提升1.7倍，功耗降低30%。尽管受限于EUV光刻机禁令，该工艺仍通过技术优化接近国际7nm性能，计划2025年小规模量产，初期月产能5000片，主要面向车规级芯片和5G基站等需求。 -
成熟制程的规模化优势
国内28nm及以上成熟制程产能占比超70%，中芯国际12英寸晶圆月产能达76.5万片（等效8英寸），覆盖汽车电子、工业控制等领域。例如，28nm HKMG工艺已用于5G基站芯片，40nm BCD工艺通过车规认证，服务比亚迪等新能源车企。 -
技术瓶颈与创新路径
光刻机依赖和材料国产化仍是主要挑战，但国内通过DUV技术迭代、3D封装（如Chiplet）和设备国产化（如上海微电子28nm光刻机）逐步突破。例如，华为采用堆叠技术提升芯片性能，部分弥补制程差距。
未来，国产芯片将在成熟制程市场巩固优势，同时通过N+2工艺和特色技术（如光子芯片、量子芯片）缩小国际差距。尽管5nm以下制程仍需时间，但产业链协同创新和政策支持正加速自主化进程。