‌P型半导体中的多数载流子并非自由电子，而是带正电的"空穴"‌。这种半导体通过掺杂三价元素（如硼）形成，其导电特性主要由空穴主导，自由电子为少数载流子。以下是核心要点解析：

1. ‌空穴主导导电机制‌
   P型半导体在晶格中掺杂三价原子时，会形成"空位"（即空穴），相邻价电子填补空位的过程等效于空穴移动，表现为正电荷迁移。这种空穴的定向运动形成电流，其浓度远高于自由电子。

2. ‌自由电子的次要角色‌
   自由电子由本征激发产生，但在P型半导体中数量极少。温度升高时，电子-空穴对增多，但空穴浓度仍占绝对优势，电导率主要由受主杂质浓度决定。

3. ‌掺杂元素的决定性作用‌
   硼、铝等三价元素作为受主杂质，每个原子接受一个电子后产生一个空穴。掺杂浓度越高，空穴数量越多，材料电阻率越低。典型P型硅的空穴浓度可达10¹⁶~10¹⁹/cm³。

4. ‌与N型半导体的本质区别‌
   N型半导体多子为自由电子，由五价元素（如磷）掺杂形成。两者接触时形成的PN结是电子器件的基础结构，空穴与电子的复合行为决定器件特性。

P型半导体广泛应用于太阳能电池、LED和晶体管制造。理解其多子为空穴的特性，有助于优化掺杂工艺和器件设计。实际应用中需注意温度对载流子浓度的影响，避免热失控。