在p型半导体中，多子是空穴，少子是电子。 这种载流子分布由掺杂工艺决定，空穴作为主要导电载体主导电学特性，而电子虽数量较少但对器件性能（如反向漏电流）有重要影响。

1. 多子——空穴的形成与作用
   p型半导体通过掺入三价元素（如硼）产生大量空穴。这些空穴由受主杂质捕获价带电子形成，在外电场下定向移动形成电流，是导电的主要载体。

2. 少子——电子的来源与影响
   电子由本征激发产生，数量远低于空穴，但在高温或光照下浓度可能显著增加。少子对pn结的反向漏电流、复合速率等关键参数有直接影响，是器件稳定性的敏感指标。

3. 多子与少子的动态平衡
   热平衡状态下，多子和少子浓度乘积恒定（$n_p \cdot p_p = n_i^2$）。温度升高或外加偏压会打破平衡，导致载流子重新分布，进而影响半导体器件的工作状态。

理解p型半导体的载流子特性对优化二极管、晶体管等器件设计至关重要，尤其在高温或高频应用中需综合考虑多子与少子的相互作用。