判断半导体是N型还是P型的关键在于分析其载流子类型和导电机制：N型以自由电子为主，P型以空穴为主，可通过霍尔效应、掺杂元素分析或冷热探针法直接鉴别。
-
霍尔效应法
通过外加磁场和电流，观察半导体两侧的电压极性。若霍尔电压为负（载流子为电子），则为N型；若为正（载流子为空穴），则为P型。左手定则可辅助判断：拇指指向负电荷侧为P型，反之为N型。 -
掺杂元素分析
N型半导体通常掺入五价元素（如磷、砷），提供多余电子；P型则掺入三价元素（如硼、铝），形成空穴。通过检测材料成分即可初步区分。 -
冷热探针法
对半导体两端施加温差，测量电势差方向。冷端电势高为P型，冷端电势低为N型。此方法适用于快速实验室鉴别。 -
整流特性测试
将未知半导体与已知类型半导体接触形成PN结。若单向导通特性与已知类型相反，则导电类型相反；若一致则相同。
实际应用中，霍尔效应和掺杂分析最为常用，而冷热探针法适合无磁场条件的快速筛查。选择方法时需结合设备可用性和测试精度需求。
本文《怎么判断是n型还是p型半导体》系辅导客考试网原创，未经许可，禁止转载！合作方转载必需注明出处：https://www.fudaoke.com/exam/2932012.html