本征半导体是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，其导电能力主要由材料的本征激发决定，在常温下，电子浓度与空穴浓度相等。多子（多数载流子）和少子（少数载流子）是描述半导体导电性的重要概念，其中多子是指在半导体中占主导地位的载流子，少子则是占少数的载流子。

1. 本征半导体的导电机制

在绝对零度时，本征半导体的价电子被共价键束缚，无自由载流子，表现为绝缘体特性。但在常温下，由于热激发，共价键中的部分电子获得能量跃迁到导带，形成自由电子，同时在价带留下空穴。这种自由电子和空穴的形成与复合过程在一定温度下达到动态平衡，使得本征半导体具有有限的导电能力。

2. 多子的特性

多子是半导体中占主导地位的载流子，其浓度由掺杂决定，受温度影响较小。在N型半导体中，电子是多子；在P型半导体中，空穴是多子。多子在半导体导电中起主要作用，其浓度高且迁移率较大，决定了半导体的电导率。

3. 少子的特性

少子是半导体中占少数的载流子，其浓度较低，受温度影响较大。在N型半导体中，空穴是少子；在P型半导体中，电子是少子。少子的浓度通常远低于多子，但它们在半导体器件（如PN结）中扮演重要角色，例如参与少数载流子的注入和复合过程。

4. 本征半导体中的多子与少子

在纯净的本征半导体中，由于电子浓度与空穴浓度相等，因此不存在严格意义上的多子和少子。但在温度或光照等外界条件影响下，本征半导体中可能形成浓度差异，导致出现多子和少子现象。这种特性使得本征半导体可用于制作热敏电阻和光敏元件。

总结

本征半导体中的多子和少子现象是半导体物理中的基本概念，其特性决定了半导体的导电能力。通过掺杂和温度控制，可以进一步调节多子和少子的浓度，从而实现半导体器件的功能优化。这些特性在半导体器件设计和制造中具有重要意义。