p型半导体中多数载流子（多子）为空穴，少数载流子（少子）为电子。这一特性由掺杂工艺决定：通过向纯净半导体（如硅）掺入三价元素（如硼），形成大量可导电的空穴，而电子主要由本征激发产生，数量远低于空穴。多子浓度由掺杂量主导，少子浓度受温度显著影响，两者共同影响半导体器件的导电性和稳定性。

关键点分述

1. 多子空穴的形成与特性
   p型半导体的多子为空穴，源于掺杂的三价原子与半导体原子结合时产生的“空位”。例如，硅中掺入硼后，硼原子与周围硅原子形成共价键时缺少一个电子，形成可移动的空穴。空穴浓度由掺杂浓度直接决定，掺杂量越大，空穴数量越多，导电能力越强。

2. 少子电子的来源与影响因素
   少子电子由半导体的本征激发产生，即热能作用下价带电子跃迁至导带，形成自由电子和空穴对。少子浓度与温度呈指数关系，温度升高时，电子-空穴对增多，但总体数量仍显著低于多子（通常少子浓度为多子的 $10^{-6}$10−6 至 $10^{-4}$10−4 倍）。

3. 多子与少子的动态平衡
   在热平衡状态下，多子和少子的浓度满足 $n_p \cdot p_p = n_i^2$np​⋅pp​=ni2​（$n_p$np​ 为电子浓度，$p_p$pp​ 为空穴浓度，$n_i$ni​ 为本征载流子浓度）。掺杂浓度越高，多子空穴浓度越大，少子电子浓度越低，且两者均受温度影响，高温可能破坏器件稳定性。

4. 载流子运动与器件应用
   在电场作用下，多子空穴主导漂移电流，少子电子参与扩散电流。p型半导体常用于二极管、三极管等器件的构造，其导电特性由多子与少子的浓度差及迁移率共同决定。例如，在PN结中，少子的扩散运动形成内建电场，是器件单向导电性的基础。

总结提示

理解p型半导体的多子与少子关系，需重点关注掺杂工艺与温度效应。实际应用中，需通过控制掺杂浓度优化导电性，同时注意高温环境可能因少子激增导致漏电流等问题。