‌杂质半导体中存在两种载流子：自由电子（多数载流子）和空穴（少数载流子）‌，其类型取决于掺杂元素的性质。N型半导体以电子导电为主，P型半导体以空穴导电为主，两者共同构成半导体器件的工作基础。

1. ‌N型半导体的载流子‌

   • ‌自由电子‌：通过掺入五价元素（如磷、砷）引入，成为多数载流子，主导导电过程。
   • ‌空穴‌：由本征半导体中少量热激发产生，数量极少，作为少数载流子参与复合效应。

2. ‌P型半导体的载流子‌

   • ‌空穴‌：通过掺入三价元素（如硼、镓）形成，作为多数载流子接受电子移动，表现为正电荷迁移。
   • ‌自由电子‌：因热激发产生，数量远少于空穴，属于少数载流子，影响器件漏电流等特性。

3. ‌载流子的相互作用‌

   • 在PN结中，多数载流子扩散形成内建电场，少数载流子参与漂移电流，平衡时实现单向导电性。
   • 温度升高时，本征激发增强，少数载流子浓度显著增加，可能改变器件性能。

‌实际应用中需根据导电需求选择掺杂类型‌，N型适合高电子迁移场景（如CPU），P型常用于空穴主导的电路（如太阳能电池）。控制载流子比例是优化半导体效率的关键。