‌n型半导体的多数载流子（多子）浓度主要取决于掺杂浓度‌，因为施主杂质电离产生的自由电子是其主要导电来源。温度升高时，本征激发也会影响多子浓度，但常温下以掺杂主导。以下是关键影响因素分析：

1. ‌掺杂浓度决定基准值‌
   每立方厘米掺入的施主原子（如磷、砷）数量直接决定可电离的自由电子数。例如，硅中掺入1×10¹⁶/cm³的磷原子，理论上可提供同数量级的电子，形成n型半导体的多子浓度基础。

2. ‌温度的双重效应‌

   • ‌低温区‌：施主杂质未完全电离，多子浓度随温度升高而增加；
   • ‌中温区‌（常温）：杂质几乎全部电离，多子浓度≈掺杂浓度；
   • ‌高温区‌：本征激发产生的电子-空穴对显著增加，多子浓度可能超过掺杂水平。

3. ‌杂质电离能的影响‌
   施主能级越浅（如磷在硅中的电离能0.044eV），越易在室温下电离；深能级杂质可能导致多子浓度低于掺杂浓度。

4. ‌补偿掺杂的干扰‌
   若材料中同时存在受主杂质（如硼），会与施主杂质中和，实际多子浓度=施主浓度-受主浓度。

‌实际应用中，通过精确控制掺杂工艺可稳定多子浓度‌。需注意高温或强光照可能引发本征导电，改变器件性能。