本征半导体和杂质半导体的核心区别在于导电性的来源：前者依赖纯材料的热激发载流子（电子-空穴对），后者通过掺杂引入额外载流子（电子或空穴主导），显著提升导电能力。

1. 载流子来源不同
   本征半导体（如高纯硅、锗）的导电性完全由热激发产生的电子-空穴对决定，载流子浓度极低且受温度影响大；杂质半导体则通过掺入微量三价（如硼）或五价（如磷）元素，分别形成**空穴型（P型）或电子型（N型）**半导体，载流子数量大幅增加且稳定性更高。

2. 导电机制差异
   本征半导体中电子和空穴数量相等，导电性微弱且对称；P型半导体以空穴为主要载流子，N型以自由电子为主，两者导电性显著增强且呈现非对称特性，适用于二极管、晶体管等器件设计。

3. 应用场景分化
   本征半导体多用于理论研究或高温传感器；杂质半导体是电子工业的基础，例如N型硅用于太阳能电池的负极材料，P型硅与N型结合形成PN结，实现整流、放大等功能。

理解两者区别是掌握半导体器件原理的关键——本征半导体是“纯净起点”，而杂质半导体通过精准调控载流子，成为现代电子技术的核心。