​​杂质半导体分为N型和P型两大类，其核心区别在于掺杂元素价态不同（五价或三价），导致导电载流子类型相反（电子或空穴）​​。通过精准掺杂，半导体从绝缘态变为可控导电材料，成为现代电子器件的基石。

N型半导体通过掺入五价元素（如磷、砷）实现。杂质原子多余的一个电子易激发为自由电子，形成​​电子主导的导电机制​​。此时电子为多数载流子，空穴为少数载流子。例如硅中掺磷后，施主能级靠近导带，电子跃迁能耗极低，常温下即可形成高浓度自由电子。

P型半导体则依赖三价元素（如硼、铟）掺杂。杂质原子缺少一个电子形成空穴，价带电子易跃迁填补，产生​​空穴主导的导电​​。空穴作为多数载流子定向移动等效于正电荷流动，电子则成为少数载流子。硅中掺硼时，受主能级靠近价带顶，空穴激发效率远高于本征半导体。

两类半导体的协同应用催生了PN结等核心结构。N型与P型结合时，载流子扩散形成内建电场，奠定了二极管、晶体管的工作基础。实际器件中通过控制掺杂浓度可调节导电性，例如CPU芯片通过区域化掺杂实现复杂电路功能。

理解N型与P型半导体的差异，是掌握半导体器件原理的第一步。无论是手机处理器还是太阳能电池，其性能优化都始于对这两类材料特性的精准调控。