掺杂半导体主要分为 N型半导体 和 P型半导体 两类,具体分类及特点如下:
一、N型半导体
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定义 :在硅或锗等本征半导体中掺入微量的5价元素(如磷、砷、锑),形成多余电子的半导体。
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特点 :
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载流子为自由电子,导电性增强;
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热稳定性和化学稳定性较高;
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常见于GaP、GaAsP等化合物半导体。
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二、P型半导体
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定义 :在硅或锗中掺入微量的3价元素(如硼、镓、铟),形成空穴的半导体。
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特点 :
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载流子为空穴,导电性通过空穴移动实现;
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光学性能较好,适用于光电器件;
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常见于GaN、GaN₂O₃等化合物半导体。
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三、其他分类方式
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按掺杂剂类型 :可分为五价元素(如磷、砷)和三价元素(如硼、镓)掺杂的半导体;
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按应用领域 :如氮掺杂半导体(GaN)用于高频电子,氧掺杂半导体(GaO₂)用于光导材料。
总结 :掺杂半导体的核心分类基于杂质元素的价数(3价或5价),N型和P型是基础分类,实际应用中还涉及多种化合物半导体。