杂质半导体中存在​​两种载流子​​：​​自由电子​​和​​空穴​​。这两种载流子的浓度和主导类型取决于掺杂元素的价态，形成N型（电子为主）或P型（空穴为主）半导体，​​多子与少子的动态平衡​​决定了半导体的导电特性。

1. ​​自由电子​​：在N型半导体中，五价杂质（如磷）的额外电子易跃迁至导带，成为多数载流子。电子带负电，其迁移率通常高于空穴，例如硅中电子迁移率达1350 cm²/V·s，显著提升导电效率。

2. ​​空穴​​：P型半导体通过三价杂质（如硼）产生空穴，作为多数载流子。空穴等效于带正电的粒子，其迁移率较低（如硅中约480 cm²/V·s），但通过价带电子的定向移动实现导电。

3. ​​多子与少子的相互作用​​：N型半导体中空穴为少子，P型中电子为少子。尽管少子浓度低，但在PN结、光电效应等场景中起关键作用。温度升高时，本征激发会增大少子浓度，影响器件稳定性。

理解两种载流子的行为是设计半导体器件的基础，通过控制掺杂类型和浓度可精准调控导电性能，广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。